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ZuhauseProdukteDiskrete Halbleiter-ProdukteTransistoren-FETs, MOSFETs-EinzelTSM2305CX RFG
TSM2305CX RFG Image
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TSM2305CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation

Hersteller Artikelnummer
TSM2305CX RFG
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Allelco Artikelnummer
32D-TSM2305CX RFG
ECAD -Modell
Teile Beschreibung
MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
detaillierte Beschreibung
Verpackung
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt
TSM2305.pdf
RoHS Status
vorrätig: 80660

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Anzahl

Spezifikation

TSM2305CX RFG Tech -Spezifikationen
Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2305CX RFG Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Taiwan Semiconductor Corporation - TSM2305CX RFG

Produkteigenschaften Eigenschaften  
Hersteller Taiwan Semiconductor  
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Technologie MOSFET (Metal Oxide)  
Supplier Device-Gehäuse SOT-23  
Serie -  
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.2A, 4.5V  
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta)  
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Paket Tape & Reel (TR)  
Produkteigenschaften Eigenschaften  
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ)  
Befestigungsart Surface Mount  
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 990 pF @ 10 V  
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V  
Typ FET P-Channel  
FET-Merkmal -  
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V  
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Ta)  
Grundproduktnummer TSM2305  

Bauteile mit ähnlicher Spezifikation

Die rechten drei Teile haben ähnliche Spezifikation wie Taiwan Semiconductor Corporation TSM2305CX RFG.

Produkteigenschaften TSM2305CX RFG TSM2301CX RFG TSM230N06CP TSM2308CX RFG
Artikelnummer TSM2305CX RFG TSM2301CX RFG TSM230N06CP TSM2308CX RFG
Hersteller Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation Taiwan Semiconductor Corporation
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C 3.2A (Ta) 2.8A (Tc) 50A (Tc) 3A (Ta)
Vgs (Max) ±8V ±8V ±20V ±20V
VGS (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA 950mV @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Befestigungsart Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Drain-Source-Spannung (Vdss) 20 V 20 V 60 V 60 V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 55mOhm @ 3.2A, 4.5V 130mOhm @ 2.8A, 4.5V 23mOhm @ 20A, 10V 156mOhm @ 3A, 10V
Supplier Device-Gehäuse SOT-23 SOT-23 TO-252, (D-Pak) SOT-23
Paket Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Technologie MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Typ FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Verlustleistung (max) 1.25W (Ta) 900mW (Ta) 53W (Tc) 1.25W (Ta)
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Grundproduktnummer TSM2305 - TSM230 TSM2308
FET-Merkmal - - - -
Verpackung / Gehäuse TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Betriebstemperatur -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V 4.5 nC @ 4.5 V 28 nC @ 10 V 4.3 nC @ 4.5 V
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds 990 pF @ 10 V 447 pF @ 6 V 1680 pF @ 25 V 511 pF @ 15 V

TSM2305CX RFG Datenblatt PDF

Laden Sie TSM2305CX RFG PDF -Datenblätter und Taiwan Semiconductor Corporation -Dokumentation für TSM2305CX RFG - Taiwan Semiconductor Corporation herunter.

Datenblätter
TSM2305.pdf

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Region Land Logistische Zeit (Tag)
Amerika Vereinigte Staaten 5
Brasilien 7
Europa Deutschland 5
Großbritannien 4
Italien 5
Ozeanien Australien 6
Neuseeland 5
Asien Indien 4
Japan 4
Naher Osten Israel 6
DHL & FedEx -Versandkosten Referenz
Versandkosten (KG) Referenz DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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